창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQD9N25TM_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQ(D,U)9N25 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 3.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FQD9N25TM_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQD9N25TM_F085 | |
관련 링크 | FQD9N25T, FQD9N25TM_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D102GXAAR | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D102GXAAR.pdf | |
![]() | STW8Q14BE-U0D2Z3 | LED Lighting Acrich White, Neutral 4600K (4500K ~ 4700K) 3.25V 100mA 120° 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad | STW8Q14BE-U0D2Z3.pdf | |
![]() | 2176089-2 | RES SMD 10.5K OHM 0.1% 1/6W 0603 | 2176089-2.pdf | |
![]() | B3104UBL | B3104UBL LITTELFUSE MS-013 | B3104UBL.pdf | |
![]() | MBRD1035LT4G ON | MBRD1035LT4G ON ORIGINAL DIPSMD | MBRD1035LT4G ON.pdf | |
![]() | UPD789166GB | UPD789166GB Renesas QFP | UPD789166GB.pdf | |
![]() | RJH3077DPK-E | RJH3077DPK-E RENESAS/HITACHI TO-3P | RJH3077DPK-E.pdf | |
![]() | TA7670P | TA7670P TOSHIBA DIP | TA7670P.pdf | |
![]() | BFP183T/83P | BFP183T/83P PHILIPS SOT-23 | BFP183T/83P.pdf | |
![]() | NTE284 | NTE284 NTE SMD or Through Hole | NTE284.pdf | |
![]() | YM7109 | YM7109 YIM SMD or Through Hole | YM7109.pdf | |
![]() | JN2AS10UL1-R | JN2AS10UL1-R JAE SMD or Through Hole | JN2AS10UL1-R.pdf |