창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQD7N30TM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQD7N30, FQU7N30 D-PAK Tape and Reel Data | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 2.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 610pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FQD7N30TM-ND FQD7N30TMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQD7N30TM | |
| 관련 링크 | FQD7N, FQD7N30TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | 8951160000 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Module | 8951160000.pdf | |
![]() | RC1206FR-072R1L | RES SMD 2.1 OHM 1% 1/4W 1206 | RC1206FR-072R1L.pdf | |
![]() | Y145518K0000B0W | RES SMD 18K OHM 0.1% 1/5W 1506 | Y145518K0000B0W.pdf | |
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![]() | ATRT488E | ATRT488E ATRT SMD or Through Hole | ATRT488E.pdf | |
![]() | 10UF16V/A | 10UF16V/A AVX SMD | 10UF16V/A.pdf | |
![]() | 2180AC | 2180AC FAIRCHILD SOP-8P | 2180AC.pdf | |
![]() | MAX211EEEI | MAX211EEEI MAXIM SOP-28 | MAX211EEEI.pdf | |
![]() | GRM0335C1E1R4BD1D | GRM0335C1E1R4BD1D MURATA SMD or Through Hole | GRM0335C1E1R4BD1D.pdf | |
![]() | SP6035R82YLB | SP6035R82YLB ABC SMD or Through Hole | SP6035R82YLB.pdf |