창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQD6N60CTM_WS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQD6N60C | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 810pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 80W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQD6N60CTM_WS | |
관련 링크 | FQD6N60, FQD6N60CTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
W2A43C332KAT2A | 3300pF Isolated Capacitor 4 Array 25V X7R 0508 (1220 Metric) 0.051" L x 0.083" W (1.30mm x 2.10mm) | W2A43C332KAT2A.pdf | ||
IXFH60N50P3 | MOSFET N-CH 500V 60A TO247 | IXFH60N50P3.pdf | ||
AF0402JR-0743KL | RES SMD 43K OHM 5% 1/16W 0402 | AF0402JR-0743KL.pdf | ||
M6MGT64BS8 | M6MGT64BS8 MIT BGA | M6MGT64BS8.pdf | ||
TSP81BA3A | TSP81BA3A TEXAS TQFP | TSP81BA3A.pdf | ||
SS110-ND | SS110-ND JXND DO-214AC(SMA) | SS110-ND.pdf | ||
S30S80CR | S30S80CR mospec TO- | S30S80CR.pdf | ||
4S6K183H | 4S6K183H TAITSU SMD or Through Hole | 4S6K183H.pdf | ||
C300045-075A | C300045-075A ORIGINAL DIP | C300045-075A.pdf | ||
1DD371AA-M04 | 1DD371AA-M04 ORIGINAL MSOP-10 | 1DD371AA-M04.pdf |