Fairchild Semiconductor FQD5P10TM
,-SC-63.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- FQD5P10TM
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
FQD5P10TM 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 287.62906
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 FQD5P10TM 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FQD5P10TM 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FQD5P10TM가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- FQD5P10TM 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FQD5P10TM 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQD5P10TM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQD5P10, FQU5P10 D-PAK Tape and Reel Data | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.05옴 @ 1.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FQD5P10TM-ND FQD5P10TMFSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQD5P10TM | |
| 관련 링크 | FQD5P, FQD5P10TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
FQD5P10TM 의 관련 제품
 | VJ1812Y183JBCAT4X | 0.018µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y183JBCAT4X.pdf | |
 | F1778447K3ICT0 | 0.47µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | F1778447K3ICT0.pdf | |
 | FA-238 24.0000MB-C3 | 24MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 24.0000MB-C3.pdf | |
 | GP02-40-E3/54 | DIODE GEN PURP 4KV 250MA DO204 | GP02-40-E3/54.pdf | |
 | LQH31HNR21K03L | 215nH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 143 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | LQH31HNR21K03L.pdf | |
 | RG3216V-1781-D-T5 | RES SMD 1.78K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216V-1781-D-T5.pdf | |
| M4A3-32/32-10VNC-12I | M4A3-32/32-10VNC-12I LATTICE QFP | M4A3-32/32-10VNC-12I.pdf | |
| MT58L128V32PIT-7.5 | MT58L128V32PIT-7.5 MT TQFP | MT58L128V32PIT-7.5.pdf | |
| 3110226 | 3110226 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3110226.pdf | |
| 773101103 | 773101103 CTS SMD or Through Hole | 773101103.pdf | |
| CS8900A-IQR | CS8900A-IQR CIRRUS SMD or Through Hole | CS8900A-IQR.pdf |