창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQD5N60CTM_WS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQD5N60C, FQU5N60C | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 1.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FQD5N60CTM_WSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQD5N60CTM_WS | |
| 관련 링크 | FQD5N60, FQD5N60CTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MSMP8.0A-M3/89A | TVS DIODE 8VWM 13.6VC MICROSMP | MSMP8.0A-M3/89A.pdf | |
![]() | SIT8924BA-72-18E-25.000000D | OSC XO 1.8V 25MHZ OE | SIT8924BA-72-18E-25.000000D.pdf | |
![]() | PT570006 | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 6VDC Coil Socketable | PT570006.pdf | |
![]() | GX-H12A | Inductive Proximity Sensor 0.13" (3.3mm) IP68 Module | GX-H12A.pdf | |
![]() | IM6402-1MDL/883B | IM6402-1MDL/883B INTERSIL CDIP40 | IM6402-1MDL/883B.pdf | |
![]() | MAX9812LEPA | MAX9812LEPA MAXIM DIP | MAX9812LEPA.pdf | |
![]() | BA5208 | BA5208 ORIGINAL SOP | BA5208.pdf | |
![]() | M5M41000BP-10 | M5M41000BP-10 MITSUBISHI SMD or Through Hole | M5M41000BP-10.pdf | |
![]() | HN4265VG | HN4265VG MINGTEK DIP | HN4265VG.pdf | |
![]() | R14A | R14A ORIGINAL SOT-23-5 | R14A.pdf | |
![]() | EL5420CL-T7 | EL5420CL-T7 ELANTEC BGA | EL5420CL-T7.pdf | |
![]() | ME6211A12MPG | ME6211A12MPG ME SOT23 | ME6211A12MPG.pdf |