Fairchild Semiconductor FQD3N60CTM_WS
,-SC-63.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- FQD3N60CTM_WS
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
FQD3N60CTM_WS 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 320.69157
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 FQD3N60CTM_WS 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FQD3N60CTM_WS 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FQD3N60CTM_WS가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- FQD3N60CTM_WS 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FQD3N60CTM_WS 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQD3N60CTM_WS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQD3N60CTM_WS | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 14/May/2008 Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4옴 @ 1.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 565pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FQD3N60CTM_WS-ND FQD3N60CTM_WSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQD3N60CTM_WS | |
| 관련 링크 | FQD3N60, FQD3N60CTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
FQD3N60CTM_WS 의 관련 제품
 | GJM0225C1E4R1CB01L | 4.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GJM0225C1E4R1CB01L.pdf | |
 | IMC1812BN4R7K | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 315mA 1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN4R7K.pdf | |
 | RCP1206B10R0GS6 | RES SMD 10 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B10R0GS6.pdf | |
 | CRA06E08343R0JTA | RES ARRAY 4 RES 43 OHM 1206 | CRA06E08343R0JTA.pdf | |
 | MBB02070C2051DRP00 | RES 2.05K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C2051DRP00.pdf | |
| M58683P | M58683P MIT DIP | M58683P.pdf | |
| HEC-10A | HEC-10A NANA NO | HEC-10A.pdf | |
| ATS276G-PG-B-C | ATS276G-PG-B-C DIODES SIP-4L | ATS276G-PG-B-C.pdf | |
| GS72108AGP-7 | GS72108AGP-7 GSI TSOP44 | GS72108AGP-7.pdf | |
| DS1833A05PULLS | DS1833A05PULLS DALLAS BULKTO | DS1833A05PULLS.pdf | |
| RSM1FB6.8K-OHM-JL2 | RSM1FB6.8K-OHM-JL2 NOBLE SMD or Through Hole | RSM1FB6.8K-OHM-JL2.pdf |