창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQD3N30TF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | FQD3N30TF | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | FQD3N30TF | |
| 관련 링크 | FQD3N, FQD3N30TF 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B41821A3688M | 6800µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 80 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | B41821A3688M.pdf | |
![]() | 564RC0GAA502EZ280J | 28pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 | 564RC0GAA502EZ280J.pdf | |
![]() | ECS-42-12-5PX-TR | 4.194304MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-42-12-5PX-TR.pdf | |
| SI7872DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | SI7872DP-T1-E3.pdf | ||
![]() | RJ805301066512-SL6AH | RJ805301066512-SL6AH INTEL BGA | RJ805301066512-SL6AH.pdf | |
![]() | TDA2890 | TDA2890 PHILIPS DIP | TDA2890.pdf | |
![]() | TIA-900-10+ | TIA-900-10+ ORIGINAL SMD or Through Hole | TIA-900-10+.pdf | |
![]() | XR16L2552IJ-F | XR16L2552IJ-F EXAR SMD or Through Hole | XR16L2552IJ-F.pdf | |
![]() | MPE 155/400 P26 | MPE 155/400 P26 HBCKAY SMD or Through Hole | MPE 155/400 P26.pdf | |
![]() | MTMS-140-01-G-S | MTMS-140-01-G-S SAMTEC SMD or Through Hole | MTMS-140-01-G-S.pdf | |
![]() | SN74LCX16245MTDX | SN74LCX16245MTDX TI SMD or Through Hole | SN74LCX16245MTDX.pdf |