창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQD19N10LTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQD19N10L, FQU19N10L D-PAK Tape and Reel Data | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 7.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FQD19N10LTM-ND FQD19N10LTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQD19N10LTM | |
관련 링크 | FQD19N, FQD19N10LTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 08055J3R9BBTTR | 3.9pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055J3R9BBTTR.pdf | |
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![]() | RB435C/S4 | RB435C/S4 ROHM SOT-89 | RB435C/S4.pdf | |
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![]() | TES2N-1211 | TES2N-1211 TRACO SMD or Through Hole | TES2N-1211.pdf | |
![]() | 74HC125DRG | 74HC125DRG TI MSOP | 74HC125DRG.pdf | |
![]() | LM3519MK-20 | LM3519MK-20 NS SMD or Through Hole | LM3519MK-20.pdf | |
![]() | BT148W-600R.115 | BT148W-600R.115 NXP/PH SMD or Through Hole | BT148W-600R.115.pdf |