창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQD17N08LTM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQD17N08L D-PAK Tape and Reel Data | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 6.45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FQD17N08LTM-ND FQD17N08LTMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQD17N08LTM | |
| 관련 링크 | FQD17N, FQD17N08LTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385315085JC02R0 | 0.015µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP385315085JC02R0.pdf | |
![]() | MN1871631JE3 | MN1871631JE3 PAN DIP64 | MN1871631JE3.pdf | |
![]() | 2844/19 GR001 | 2844/19 GR001 ORIGINAL NEW | 2844/19 GR001.pdf | |
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![]() | BA6110 | BA6110 ROHM ZIP9 | BA6110.pdf | |
![]() | DS78C20AJ | DS78C20AJ NS DIP | DS78C20AJ.pdf | |
![]() | AP20N03GJ-HF | AP20N03GJ-HF ORIGINAL SMD or Through Hole | AP20N03GJ-HF.pdf | |
![]() | VN920D-B5$ | VN920D-B5$ ST ST | VN920D-B5$.pdf | |
![]() | QS29FCT2520CTZ | QS29FCT2520CTZ QSI SMD or Through Hole | QS29FCT2520CTZ.pdf |