창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB8N90CTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB8N90C | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2080pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 171W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB8N90CTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB8N90CTM | |
관련 링크 | FQB8N9, FQB8N90CTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
EEU-FR1E101 | 100µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-FR1E101.pdf | ||
SIT8008ACB8-30S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Standby | SIT8008ACB8-30S.pdf | ||
FI212B245025-T | FILTER BANDPASS W-LAN BLUETOOTH | FI212B245025-T.pdf | ||
RCP2512W1K80GEB | RES SMD 1.8K OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W1K80GEB.pdf | ||
R6110620XXYZ | R6110620XXYZ POWEREX MODULE | R6110620XXYZ.pdf | ||
SRP1040-3R5M | SRP1040-3R5M ORIGINAL SMD | SRP1040-3R5M.pdf | ||
STRX6759N | STRX6759N ICHYBRIDV/AMOSFET SMD or Through Hole | STRX6759N.pdf | ||
VCC6-QAB-161M1328 | VCC6-QAB-161M1328 VECTRON SMD or Through Hole | VCC6-QAB-161M1328.pdf | ||
BSO150N03S. | BSO150N03S. INFINEON SOP8 | BSO150N03S..pdf | ||
1SV217(TPH4.F) | 1SV217(TPH4.F) TOS SMD or Through Hole | 1SV217(TPH4.F).pdf | ||
L2010MR250JBT | L2010MR250JBT VISH SMD or Through Hole | L2010MR250JBT.pdf | ||
MH2805-002 | MH2805-002 MOT module | MH2805-002.pdf |