Fairchild Semiconductor FQB8N60CTM_WS
- 제조업체 부품 번호
- FQB8N60CTM_WS
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 7.5A
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
FQB8N60CTM_WS 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 782.82548
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 FQB8N60CTM_WS 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FQB8N60CTM_WS 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FQB8N60CTM_WS가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- FQB8N60CTM_WS 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FQB8N60CTM_WS 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQB8N60CTM_WS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQB8N60C, FQI8N60C | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1255pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.13W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FQB8N60CTM_WSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQB8N60CTM_WS | |
| 관련 링크 | FQB8N60, FQB8N60CTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
FQB8N60CTM_WS 의 관련 제품
 | GXC13000 | 2 ~ 13pF Trimmer Capacitor 100V Top and Bottom Adjustment Through Hole 0.433" L x 0.374" W (11.00mm x 9.50mm) | GXC13000.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ1005P2N1BT000 | 2.1nH Unshielded Multilayer Inductor 1A 60 mOhm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P2N1BT000.pdf | |
| CRCW25121K00FHEGP | RES SMD 1K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25121K00FHEGP.pdf | |
| AS08J10R0ET | RES SMD 10 OHM 5% 1/3W 0805 | AS08J10R0ET.pdf | |
| P1201-04 | P1201-04 HAMAMATSU DIP-2 | P1201-04.pdf | |
| LC4384V-5F256C-75F256I | LC4384V-5F256C-75F256I LATTICE SMD or Through Hole | LC4384V-5F256C-75F256I.pdf | |
| AT840CABE | AT840CABE SIRF BGA | AT840CABE.pdf | |
| UNR51A1G0LSO+ | UNR51A1G0LSO+ PAN SOT32 | UNR51A1G0LSO+.pdf | |
| 2N4418 | 2N4418 MOT TO-18 | 2N4418.pdf | |
| K4S640432E-TC1L | K4S640432E-TC1L SAMSUNG TSOP54 | K4S640432E-TC1L.pdf | |
| GM5BC03200Z | GM5BC03200Z SHARP ROHS | GM5BC03200Z.pdf | |
| LRTBG6TGU10+V60+S760R18 | LRTBG6TGU10+V60+S760R18 OSRAMOPTO SMD or Through Hole | LRTBG6TGU10+V60+S760R18.pdf |