창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB8N60CTM_WS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB8N60C, FQI8N60C | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1255pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB8N60CTM_WSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB8N60CTM_WS | |
관련 링크 | FQB8N60, FQB8N60CTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F24023CDT | 24MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24023CDT.pdf | |
![]() | CMF558K2500BEEB | RES 8.25K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF558K2500BEEB.pdf | |
![]() | RGSD13X472G | RGSD13X472G MURATAB-mm SMD or Through Hole | RGSD13X472G.pdf | |
![]() | DS2631J | DS2631J NS DIP | DS2631J.pdf | |
![]() | AT6010A-4QI | AT6010A-4QI Atmel 208-PQFP | AT6010A-4QI.pdf | |
![]() | APTB1612PBSYKC | APTB1612PBSYKC Kingbright SMD or Through Hole | APTB1612PBSYKC.pdf | |
![]() | UT62256SC-35/HY62256ALJ-10 | UT62256SC-35/HY62256ALJ-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | UT62256SC-35/HY62256ALJ-10.pdf | |
![]() | RSS1 390J | RSS1 390J AUK NA | RSS1 390J.pdf | |
![]() | SFH4600 | SFH4600 OSROM SMD or Through Hole | SFH4600.pdf | |
![]() | 92D327 | 92D327 ST SOP | 92D327.pdf | |
![]() | 235003410109L | 235003410109L ORIGINAL SMD or Through Hole | 235003410109L.pdf | |
![]() | QXE2E223KTP7FL | QXE2E223KTP7FL NICHICON SMD or Through Hole | QXE2E223KTP7FL.pdf |