창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB6N60TM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | FQB6N60TM | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TO-263 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | FQB6N60TM | |
관련 링크 | FQB6N, FQB6N60TM 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | P1812R-332G | 3.3µH Unshielded Inductor 750mA 323 mOhm Max Nonstandard | P1812R-332G.pdf | |
![]() | HM79-20820LFTR13 | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 580mA 600 mOhm Max Nonstandard | HM79-20820LFTR13.pdf | |
![]() | RC2512JK-071M8L | RES SMD 1.8M OHM 5% 1W 2512 | RC2512JK-071M8L.pdf | |
![]() | AZ1086S-3.3TRE1 | AZ1086S-3.3TRE1 BCD SMD or Through Hole | AZ1086S-3.3TRE1.pdf | |
![]() | DG408BDY | DG408BDY DG SMD | DG408BDY.pdf | |
![]() | TEPSGV0E227M9-12RAS | TEPSGV0E227M9-12RAS NEC V | TEPSGV0E227M9-12RAS.pdf | |
![]() | EAB31747402 | EAB31747402 STM SMD or Through Hole | EAB31747402.pdf | |
![]() | P82C206-J | P82C206-J CHIPS PLCC | P82C206-J.pdf | |
![]() | D784225GC305 | D784225GC305 NEC QFP80 | D784225GC305.pdf |