창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQB34P10TM_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQB34P10TM_F085 | |
| 비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
| 주요제품 | One-Stop Automotive Shop | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 FQB34P10TM_yyy Datasheet Update 12/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 16.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2910pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FQB34P10TM_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQB34P10TM_F085 | |
| 관련 링크 | FQB34P10T, FQB34P10TM_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D820MLBAC | 82pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D820MLBAC.pdf | |
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![]() | MCU08050D4322BP500 | RES SMD 43.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D4322BP500.pdf | |
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![]() | MSP448GA2 | MSP448GA2 MICRONAS SMD or Through Hole | MSP448GA2.pdf | |
![]() | M30833FJGP#U3 | M30833FJGP#U3 Renesas SMD or Through Hole | M30833FJGP#U3.pdf | |
![]() | M5M51008BVP-70 | M5M51008BVP-70 N/A NC | M5M51008BVP-70.pdf | |
![]() | UPD23C8000XGX-C34 | UPD23C8000XGX-C34 NEC SMD or Through Hole | UPD23C8000XGX-C34.pdf | |
![]() | PEB2261N 2V11 | PEB2261N 2V11 SIEMENS PLCC | PEB2261N 2V11.pdf | |
![]() | C033-470MF100V | C033-470MF100V SLCE SMD or Through Hole | C033-470MF100V.pdf |