창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB34N20LTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB34N20L, FQI34N20L | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 15.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB34N20LTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB34N20LTM | |
관련 링크 | FQB34N, FQB34N20LTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
UPW2E2R2MPD | 2.2µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | UPW2E2R2MPD.pdf | ||
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SA055E103ZAC7 | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 축방향 0.091" Dia x 0.118" L(2.30mm x 3.00mm) | SA055E103ZAC7.pdf | ||
MCR18EZPF2671 | RES SMD 2.67K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZPF2671.pdf | ||
TNPW0805118RBEEN | RES SMD 118 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805118RBEEN.pdf | ||
C16C45C | C16C45C MOSPEC TO-220 | C16C45C.pdf | ||
CL43B105KBFNNN | CL43B105KBFNNN ORIGINAL SMD or Through Hole | CL43B105KBFNNN.pdf | ||
100YXF100M12.5X20 | 100YXF100M12.5X20 ORIGINAL DIP | 100YXF100M12.5X20.pdf | ||
8949-F188/6 | 8949-F188/6 PRECIDIP SMD or Through Hole | 8949-F188/6.pdf | ||
AS-5W-K-B05-A | AS-5W-K-B05-A ORIGINAL SMD or Through Hole | AS-5W-K-B05-A.pdf | ||
7014-08101-2110500 | 7014-08101-2110500 MURR SMD or Through Hole | 7014-08101-2110500.pdf | ||
1-215309-0 | 1-215309-0 TE SMD or Through Hole | 1-215309-0.pdf |