창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB34N20LTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB34N20L, FQI34N20L | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 15.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB34N20LTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB34N20LTM | |
관련 링크 | FQB34N, FQB34N20LTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CA0612KRX7R8BB473 | 0.047µF Isolated Capacitor 4 Array 25V X7R 0612 (1632 Metric) 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | CA0612KRX7R8BB473.pdf | |
![]() | RT0805WRB07390RL | RES SMD 390 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB07390RL.pdf | |
![]() | HD61105A | HD61105A ORIGINAL QFP | HD61105A.pdf | |
![]() | AT45DB011B-SU | AT45DB011B-SU ATMEL SOP | AT45DB011B-SU.pdf | |
![]() | M29W400BT90N6T-ST | M29W400BT90N6T-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | M29W400BT90N6T-ST.pdf | |
![]() | M5705AE | M5705AE ALI QFP | M5705AE.pdf | |
![]() | LU2908 | LU2908 IR I-PAK | LU2908.pdf | |
![]() | 12062R104K0B | 12062R104K0B Phycomp SMD or Through Hole | 12062R104K0B.pdf | |
![]() | GSCD620-100M | GSCD620-100M ORIGINAL SMD or Through Hole | GSCD620-100M.pdf | |
![]() | 910816000000 | 910816000000 Methode SMD or Through Hole | 910816000000.pdf | |
![]() | 2N2287 | 2N2287 MOT TO-3 | 2N2287.pdf |