창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB27P06TM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB27P06, FQI27P06 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 13.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB27P06TM-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB27P06TM | |
관련 링크 | FQB27P, FQB27P06TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CMR04E300JPDP | CMR MICA | CMR04E300JPDP.pdf | |
![]() | V05P50P | VARISTOR 82V 800A DISC 5MM | V05P50P.pdf | |
![]() | HM71S-0603103LFTR | 10mH Shielded Wirewound Inductor 17mA 73 Ohm Max Nonstandard | HM71S-0603103LFTR.pdf | |
![]() | RT1206CRD071K5L | RES SMD 1.5K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD071K5L.pdf | |
![]() | 766143472GP | RES ARRAY 7 RES 4.7K OHM 14SOIC | 766143472GP.pdf | |
![]() | UTFD19B | UTFD19B TRIMTRIO SMD or Through Hole | UTFD19B.pdf | |
![]() | FXR32W682YD190 | FXR32W682YD190 HIT DIP | FXR32W682YD190.pdf | |
![]() | EX035K | EX035K ORIGINAL DIP | EX035K.pdf | |
![]() | C105 | C105 QG TO-92S | C105.pdf | |
![]() | LO3308-680-RM | LO3308-680-RM ICE NA | LO3308-680-RM.pdf | |
![]() | LPE4841ER102NU | LPE4841ER102NU VISHAY SMD or Through Hole | LPE4841ER102NU.pdf |