창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB27N25TM_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB27N25TM, FQI27N25TU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 131m옴 @ 25.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 417W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB27N25TM_F085-ND FQB27N25TM_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB27N25TM_F085 | |
관련 링크 | FQB27N25T, FQB27N25TM_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | B37986N5332J051 | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.256" L x 0.197" W(6.50mm x 5.00mm) | B37986N5332J051.pdf | |
![]() | FXO-HC530R-0.75 | 750kHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC530R-0.75.pdf | |
![]() | Y00073K16000B0L | RES 3.16K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00073K16000B0L.pdf | |
![]() | T20203DL-R | T20203DL-R FPE DIP | T20203DL-R.pdf | |
![]() | 10ETF12FPPBF | 10ETF12FPPBF IR TO-220F | 10ETF12FPPBF.pdf | |
![]() | 1094-2 | 1094-2 SAA SMD or Through Hole | 1094-2.pdf | |
![]() | 17020B | 17020B ORIGINAL SOP16 | 17020B.pdf | |
![]() | 1W-1.2K | 1W-1.2K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1W-1.2K.pdf | |
![]() | TB2913 | TB2913 TOSHIBA ZIP | TB2913.pdf | |
![]() | 12505WR-08 | 12505WR-08 YEONHO SMD or Through Hole | 12505WR-08.pdf | |
![]() | IDT7204L40LB | IDT7204L40LB IDT CLCC32 | IDT7204L40LB.pdf | |
![]() | TPCA8A10-H | TPCA8A10-H TOSHIBA QFN8 | TPCA8A10-H.pdf |