창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB25N33TM_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB25N33TM_F085 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 330V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 12.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(15V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2010pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB25N33TM_F085 | |
관련 링크 | FQB25N33T, FQB25N33TM_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | BFC237965274 | 0.27µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | BFC237965274.pdf | |
![]() | 4814P-2-151LF | RES ARRAY 13 RES 150 OHM 14SOIC | 4814P-2-151LF.pdf | |
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![]() | E5FA27.0000F20E33 | E5FA27.0000F20E33 HOSONIC SMD | E5FA27.0000F20E33.pdf | |
![]() | S10S100C | S10S100C mospec SMD or Through Hole | S10S100C.pdf | |
![]() | MPC926508SD | MPC926508SD Freescal SSOP | MPC926508SD.pdf | |
![]() | TGS23-1505NXRL | TGS23-1505NXRL HALO SOP | TGS23-1505NXRL.pdf | |
![]() | HGTP10N40EID | HGTP10N40EID HAR Call | HGTP10N40EID.pdf | |
![]() | SMCG26 | SMCG26 ORIGINAL DO-215AB | SMCG26.pdf |