창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQB10N50CFTM_WS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQB10N50CF | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | FRFET®, QFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 610m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2210pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 143W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FQB10N50CFTM FQB10N50CFTM_WS-ND FQB10N50CFTM_WSTR FQB10N50CFTMWS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQB10N50CFTM_WS | |
| 관련 링크 | FQB10N50C, FQB10N50CFTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | B43305B2687M60 | 680µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 190 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305B2687M60.pdf | |
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![]() | CMF656R8000FKEB | RES 6.8 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF656R8000FKEB.pdf | |
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![]() | BU2790N | BU2790N ORIGINAL SMD or Through Hole | BU2790N.pdf | |
![]() | CNF20R102S-TM | CNF20R102S-TM MARUWA SMD or Through Hole | CNF20R102S-TM.pdf | |
![]() | APM9926KC-TRG.. | APM9926KC-TRG.. SOP- ANPEC | APM9926KC-TRG...pdf | |
![]() | 54LSFF | 54LSFF ORIGINAL DIP14 | 54LSFF.pdf | |
![]() | CO46025-64.000-TR | CO46025-64.000-TR ORIGINAL SMD | CO46025-64.000-TR.pdf |