창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA7N80C_F109 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA7N80C_F109 | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 198W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA7N80C_F109 | |
관련 링크 | FQA7N80, FQA7N80C_F109 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
Y00078K10000B9L | RES 8.1K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00078K10000B9L.pdf | ||
TME6400 | TME6400 INTIME QFP | TME6400.pdf | ||
1943/C5200 | 1943/C5200 TOSHIBA TO-3P | 1943/C5200.pdf | ||
LP5990TM-1.3/NOPB | LP5990TM-1.3/NOPB NSC SMD or Through Hole | LP5990TM-1.3/NOPB.pdf | ||
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ICS954201BG-T | ICS954201BG-T ORIGINAL SMD or Through Hole | ICS954201BG-T.pdf | ||
C733 | C733 QG TO-92 | C733.pdf | ||
SD8901V100 | SD8901V100 ALPS BGA | SD8901V100.pdf | ||
SC404722CFN | SC404722CFN MOTOROLA PLCC | SC404722CFN.pdf | ||
FCI2012-120 | FCI2012-120 ORIGINAL SMD | FCI2012-120.pdf | ||
FDS6570V_NL | FDS6570V_NL FAIRCHIL SOP-8 | FDS6570V_NL.pdf |