창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQA6N90C_F109 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQA6N90C_F109 | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 198W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQA6N90C_F109 | |
| 관련 링크 | FQA6N90, FQA6N90C_F109 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012N-274-D-T5 | RES SMD 270K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-274-D-T5.pdf | |
![]() | H82K26BDA | RES 2.26K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H82K26BDA.pdf | |
![]() | 80F20R | RES 20 OHM 10W 1% AXIAL | 80F20R.pdf | |
![]() | CDR01BX472AKSM | CDR01BX472AKSM AVX SMD | CDR01BX472AKSM.pdf | |
![]() | TD4003 | TD4003 ORIGINAL CAN | TD4003.pdf | |
![]() | SMA3C13 | SMA3C13 ORIGINAL DO-214AC(SMA) | SMA3C13.pdf | |
![]() | LDTG | LDTG ORIGINAL SMD | LDTG.pdf | |
![]() | 5301930300062-4A | 5301930300062-4A WICKMANN SMD or Through Hole | 5301930300062-4A.pdf | |
![]() | 1SMA8.0CA | 1SMA8.0CA TAYCHIPST SMD or Through Hole | 1SMA8.0CA.pdf | |
![]() | IRF740HG | IRF740HG ORIGINAL TO220 | IRF740HG.pdf | |
![]() | GRM155R71A334JE01D | GRM155R71A334JE01D MURATA SMD | GRM155R71A334JE01D.pdf | |
![]() | QS74FCT828CTSO | QS74FCT828CTSO QS SMD | QS74FCT828CTSO.pdf |