창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA44N30 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA44N30 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 69m옴 @ 21.75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 310W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA44N30 | |
관련 링크 | FQA4, FQA44N30 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
C4532C0G2E104J320KN | 0.10µF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C4532C0G2E104J320KN.pdf | ||
SIT8918AE-82-33E-24.576000Y | OSC XO 3.3V 24.576MHZ OE | SIT8918AE-82-33E-24.576000Y.pdf | ||
RGP30BL-E3/72 | DIODE 3A 100V 150NS DO-201AD | RGP30BL-E3/72.pdf | ||
ERJ-2GEJ111X | RES SMD 110 OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ111X.pdf | ||
RCP0505B150RJED | RES SMD 150 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B150RJED.pdf | ||
PLSI1F002945F | PLSI1F002945F GPS CDIP40 | PLSI1F002945F.pdf | ||
QDSP-2537 | QDSP-2537 HP DIP24 | QDSP-2537.pdf | ||
NP1E336M0811MPA375 | NP1E336M0811MPA375 SAMWHA SMD or Through Hole | NP1E336M0811MPA375.pdf | ||
C1608COG1H270JT000N | C1608COG1H270JT000N TDK SMD0603 | C1608COG1H270JT000N.pdf | ||
RW2-4809D/B | RW2-4809D/B MAX SMD or Through Hole | RW2-4809D/B.pdf | ||
AP245 | AP245 SC SOP8 | AP245.pdf | ||
CXP83416-011Q | CXP83416-011Q SONY QFP | CXP83416-011Q.pdf |