창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA19N60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA19N60 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 9.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | FQA19N60-ND FQA19N60FS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA19N60 | |
관련 링크 | FQA1, FQA19N60 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ZTX1149ASTZ | TRANS PNP 25V 3A E-LINE | ZTX1149ASTZ.pdf | |
![]() | M8340105K2202GC | M8340105K2202GC DALE ZIP | M8340105K2202GC.pdf | |
![]() | IRF4000T00B01 | IRF4000T00B01 SAMSUNG SMD or Through Hole | IRF4000T00B01.pdf | |
![]() | 5536297-2 | 5536297-2 Tyco/AMP NA | 5536297-2.pdf | |
![]() | CES201G95CC | CES201G95CC MURATA SMD or Through Hole | CES201G95CC.pdf | |
![]() | S7BA-06F2AX | S7BA-06F2AX Bel SOPDIP | S7BA-06F2AX.pdf | |
![]() | CEP04N7 | CEP04N7 CET TO-220 | CEP04N7.pdf | |
![]() | 22CV10AP -25 | 22CV10AP -25 ICT DIP24 | 22CV10AP -25.pdf | |
![]() | 1FC-0004 | 1FC-0004 AGILENT QFP | 1FC-0004.pdf | |
![]() | RVZ-35V151MH10U-R | RVZ-35V151MH10U-R ELNA SMD or Through Hole | RVZ-35V151MH10U-R.pdf | |
![]() | UPD703216GJ101 | UPD703216GJ101 NEC TQFP | UPD703216GJ101.pdf | |
![]() | DM54194J/883C | DM54194J/883C NS/S CDIP16 | DM54194J/883C.pdf |