창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA16N50_F109 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA16N50 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA16N50_F109 | |
관련 링크 | FQA16N5, FQA16N50_F109 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ALE13F05 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 5VDC Coil Through Hole | ALE13F05.pdf | |
![]() | Y1172100R000B0R | RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 0805 | Y1172100R000B0R.pdf | |
![]() | BUV48-S | BUV48-S BOURNS SMD or Through Hole | BUV48-S.pdf | |
![]() | X28C512JI-12 | X28C512JI-12 INTERSIL PLCC32 | X28C512JI-12.pdf | |
![]() | MAX294CWE-W | MAX294CWE-W MAXIM SOP-16 | MAX294CWE-W.pdf | |
![]() | LD87C51FA-1/LD87C51FA | LD87C51FA-1/LD87C51FA INTEL DIP | LD87C51FA-1/LD87C51FA.pdf | |
![]() | FDS5680NL | FDS5680NL RHFAIRC SOP | FDS5680NL.pdf | |
![]() | 2012-R15K | 2012-R15K ORIGINAL SMD or Through Hole | 2012-R15K.pdf | |
![]() | MM3Z5VB | MM3Z5VB ORIGINAL SMD | MM3Z5VB.pdf | |
![]() | POZ3AN-51-503N-T00 | POZ3AN-51-503N-T00 ORIGINAL SMD or Through Hole | POZ3AN-51-503N-T00.pdf | |
![]() | 216P6TZAFA22E(M6-P | 216P6TZAFA22E(M6-P ATI BGA | 216P6TZAFA22E(M6-P.pdf |