창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA140N10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA140N10 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 70A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 285nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA140N10 | |
관련 링크 | FQA14, FQA140N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
UPJ1E331MPD6 | 330µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPJ1E331MPD6.pdf | ||
![]() | SIT1602AIL83-33E-32.768000Y | OSC XO 3.3V 32.768MHZ OE | SIT1602AIL83-33E-32.768000Y.pdf | |
![]() | NSVR0240P2T5G | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923 | NSVR0240P2T5G.pdf | |
![]() | BA151N | BA151N bencent SMD or Through Hole | BA151N.pdf | |
![]() | TT50F10KEL | TT50F10KEL EUPEC MODULE | TT50F10KEL.pdf | |
![]() | HIR8380C-R-30P | HIR8380C-R-30P JW SMD or Through Hole | HIR8380C-R-30P.pdf | |
![]() | GAL22V10-25JC | GAL22V10-25JC CYPRESS PLCC-28P | GAL22V10-25JC.pdf | |
![]() | 2MBI300PC-140 | 2MBI300PC-140 FUJI FUJI | 2MBI300PC-140.pdf | |
![]() | 14ACRZ | 14ACRZ INTERSIL QFN | 14ACRZ.pdf | |
![]() | LT1117CST-2.85#TRPBF. | LT1117CST-2.85#TRPBF. LT SOT-223 | LT1117CST-2.85#TRPBF..pdf | |
![]() | M29F400BB55N3 | M29F400BB55N3 SGS AYTSSOP | M29F400BB55N3.pdf | |
![]() | MBB722 | MBB722 ORIGINAL QFP | MBB722.pdf |