창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FMP36-015P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FMP36-015P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A, 22A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 31A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | i4-Pac™-5 | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FMP36-015P | |
| 관련 링크 | FMP36-, FMP36-015P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | UQCSVA1R1BAT2A\500 | 1.1pF 250V 세라믹 커패시터 A 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | UQCSVA1R1BAT2A\500.pdf | |
![]() | SIT8924BAB12-18E-20.00000D | OSC XO 1.8V 20MHZ OE | SIT8924BAB12-18E-20.00000D.pdf | |
![]() | RNCF1206DKE619K | RES SMD 619K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RNCF1206DKE619K.pdf | |
![]() | TNPW120628R7BEEA | RES SMD 28.7 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120628R7BEEA.pdf | |
![]() | 40097BDC | 40097BDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 40097BDC.pdf | |
![]() | C3AP | C3AP ORIGINAL SOT-23 | C3AP.pdf | |
![]() | TV0057 | TV0057 ORIGINAL SMD or Through Hole | TV0057.pdf | |
![]() | STi5200ZWB | STi5200ZWB ST SMD or Through Hole | STi5200ZWB.pdf | |
![]() | GD82541EI-B0/Q787ES | GD82541EI-B0/Q787ES INTEL QFP BGA | GD82541EI-B0/Q787ES.pdf | |
![]() | 2SK2013 K2013 | 2SK2013 K2013 TOSHIBA TO-220F | 2SK2013 K2013.pdf | |
![]() | LQP10A4N7B02T1M | LQP10A4N7B02T1M MURATA SMD or Through Hole | LQP10A4N7B02T1M.pdf | |
![]() | PHY2078- | PHY2078- Phyworks QFN32 | PHY2078-.pdf |