창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FJV3103RMTF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FJV3103R Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FJV3103RMTF-ND FJV3103RMTFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FJV3103RMTF | |
관련 링크 | FJV310, FJV3103RMTF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
MBB02070C2743FRP00 | RES 274K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2743FRP00.pdf | ||
CS5536B0 | CS5536B0 AMD SMD or Through Hole | CS5536B0.pdf | ||
TDA19977BHV/15 | TDA19977BHV/15 NXP SMD or Through Hole | TDA19977BHV/15.pdf | ||
RB1006 | RB1006 TOS KBPC | RB1006.pdf | ||
S211-TR | S211-TR SSOUSA DIPSOP8 | S211-TR.pdf | ||
Si3015FS | Si3015FS SILICON SOP | Si3015FS.pdf | ||
4108BS | 4108BS PHI SMD or Through Hole | 4108BS.pdf | ||
EP2C50F484I8 | EP2C50F484I8 ALTERA BGA | EP2C50F484I8.pdf | ||
OJ161 | OJ161 ALEPH DIP-4 | OJ161.pdf | ||
SST55LD019A-45-I-BWE | SST55LD019A-45-I-BWE SST BGA | SST55LD019A-45-I-BWE.pdf | ||
X20C05P-35 | X20C05P-35 XICOR DIP-28 | X20C05P-35.pdf | ||
GS23302-0011S-7F | GS23302-0011S-7F FOXCONN SMD or Through Hole | GS23302-0011S-7F.pdf |