창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FGB7N60UNDF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FGB7N60UNDF | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Size Update 29/Sep/2014 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 14A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 21A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 7A | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 스위칭 에너지 | 99µJ(켜기), 104µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 18nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 5.9ns/32.3ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 7A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 32.3ns | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB(D²PAK) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FGB7N60UNDF | |
| 관련 링크 | FGB7N6, FGB7N60UNDF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | MB605634 | MB605634 FUJITSU PGA | MB605634.pdf | |
![]() | 55YA89040 | 55YA89040 ORIGINAL QFP64 | 55YA89040.pdf | |
![]() | EP10HY03 | EP10HY03 NIHON SOD-123 | EP10HY03.pdf | |
![]() | CA35BE | CA35BE HARRIS SMD or Through Hole | CA35BE.pdf | |
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![]() | RV2-4V221M-R | RV2-4V221M-R ELNA SMD or Through Hole | RV2-4V221M-R.pdf | |
![]() | T7003 | T7003 Pulse SOP-16 | T7003.pdf | |
![]() | 293D105X0010A2T. | 293D105X0010A2T. SPRAGUE SMD or Through Hole | 293D105X0010A2T..pdf | |
![]() | TC55VEN416AXGN70 | TC55VEN416AXGN70 TOSHIBA SOP | TC55VEN416AXGN70.pdf |