창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FGB5N60UNDF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FGB5N60UNDF | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 10A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 15A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 5A | |
| 전력 - 최대 | 73.5W | |
| 스위칭 에너지 | 80µJ(켜기), 70µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 12.1nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 5.4ns/25.4ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 5A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB(D²PAK) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FGB5N60UNDF | |
| 관련 링크 | FGB5N6, FGB5N60UNDF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F260X3IDT | 26MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260X3IDT.pdf | |
![]() | TNPW251233K0BEEY | RES SMD 33K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251233K0BEEY.pdf | |
![]() | 104-020 | 104-020 BIVAR SMD or Through Hole | 104-020.pdf | |
![]() | T491D107M016ZT16V100UFD | T491D107M016ZT16V100UFD KEMET D | T491D107M016ZT16V100UFD.pdf | |
![]() | 93CS56J | 93CS56J ORIGINAL CDIP-8 | 93CS56J.pdf | |
![]() | XW-602CB2 BBI1 | XW-602CB2 BBI1 XW SMD or Through Hole | XW-602CB2 BBI1.pdf | |
![]() | LTC3406ES5-1.8 TEL | LTC3406ES5-1.8 TEL LT SOT23-5 | LTC3406ES5-1.8 TEL.pdf | |
![]() | 209-2LPST | 209-2LPST CTS SMTDIP | 209-2LPST.pdf | |
![]() | TAJB335KO35R | TAJB335KO35R AVX SMD or Through Hole | TAJB335KO35R.pdf | |
![]() | OPA338NA A38 | OPA338NA A38 TI SOT23-5 | OPA338NA A38.pdf | |
![]() | NX3L1G66GW,125 | NX3L1G66GW,125 ORIGINAL SOT-353 | NX3L1G66GW,125.pdf |