창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FGA6530WDF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FGA6530WDF | |
주요제품 | 650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance | |
PCN 설계/사양 | Multiple Changes 04/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 650V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 60A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 90A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A | |
전력 - 최대 | 176W | |
스위칭 에너지 | 960µJ(켜기), 162µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 37.4nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 12ns/42.4ns | |
테스트 조건 | 400V, 30A, 6옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 81ns | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FGA6530WDF | |
관련 링크 | FGA653, FGA6530WDF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
ESMH401VND102MB63T | 1000µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 2000 Hrs @ 85°C | ESMH401VND102MB63T.pdf | ||
VJ0805D1R5CXBAP | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R5CXBAP.pdf | ||
SMDJ22A | TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB | SMDJ22A.pdf | ||
CMF556R9800FHR6 | RES 6.98 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF556R9800FHR6.pdf | ||
DS1216-9731E1 | DS1216-9731E1 DALLAS DIP-16 | DS1216-9731E1.pdf | ||
MSP430G2332IN20 | MSP430G2332IN20 TI SSOP | MSP430G2332IN20.pdf | ||
TS5V330CDBQG4 | TS5V330CDBQG4 TI- SSOP16 | TS5V330CDBQG4.pdf | ||
G2Q-184P-V-H-DC06 | G2Q-184P-V-H-DC06 OMRON SMD or Through Hole | G2Q-184P-V-H-DC06.pdf | ||
1606-10 | 1606-10 Coilcraft SMD or Through Hole | 1606-10.pdf | ||
HYB18T256161AF-25(16X16 DDR2) | HYB18T256161AF-25(16X16 DDR2) INFINEON BGA | HYB18T256161AF-25(16X16 DDR2).pdf | ||
BW-N10W5-N+ | BW-N10W5-N+ MINI SMD or Through Hole | BW-N10W5-N+.pdf | ||
DTC314TU | DTC314TU ROHM SOT-323 | DTC314TU.pdf |