창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FGA50N100BNTDTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FGA50N100BNTD | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | NPT and trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1000V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 50A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 100A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A | |
전력 - 최대 | 156W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 275nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | - | |
테스트 조건 | - | |
역회복 시간(trr) | 1.5µs | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FGA50N100BNTDTU | |
관련 링크 | FGA50N100, FGA50N100BNTDTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
CW02B10R00JS70 | RES 10 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B10R00JS70.pdf | ||
DS1225AD85 | DS1225AD85 DALLAS SMD or Through Hole | DS1225AD85.pdf | ||
Z16C3220VEC | Z16C3220VEC ZILOG SMD or Through Hole | Z16C3220VEC.pdf | ||
CH05T1607 | CH05T1607 NXP DIP | CH05T1607.pdf | ||
BZX84-C22215 | BZX84-C22215 NXP SMD or Through Hole | BZX84-C22215.pdf | ||
HCF4013BMTR | HCF4013BMTR ST SOP-14 | HCF4013BMTR.pdf | ||
EP4SE290H29C3 | EP4SE290H29C3 ALTERA BGA | EP4SE290H29C3.pdf | ||
ZK6S003V9AE500 | ZK6S003V9AE500 JAE SMD or Through Hole | ZK6S003V9AE500.pdf | ||
TYPE74HCT595D | TYPE74HCT595D NXPPHI SOP | TYPE74HCT595D.pdf | ||
ECEJA010A11W | ECEJA010A11W PAN 4X410P | ECEJA010A11W.pdf | ||
EP2C35F48417 | EP2C35F48417 ALTERA PBGA484 | EP2C35F48417.pdf | ||
KWD10-12-12 | KWD10-12-12 LAMBDA SMD or Through Hole | KWD10-12-12.pdf |