창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FGA40T65SHD | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FGA40T65SHD | |
| 주요제품 | 650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance | |
| PCN 설계/사양 | Specification Updates 06/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 650V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 120A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A | |
| 전력 - 최대 | 268W | |
| 스위칭 에너지 | 1.01mJ(켜기), 297µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 72.2nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 19.2ns/65.6ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 40A, 6 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 31.8ns | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FGA40T65SHD | |
| 관련 링크 | FGA40T, FGA40T65SHD 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 865080562017 | 680µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | 865080562017.pdf | |
![]() | CDV30FH910JO3F | MICA | CDV30FH910JO3F.pdf | |
![]() | HD6412340FA10V | HD6412340FA10V Pb QFP | HD6412340FA10V.pdf | |
![]() | SI7228DN | SI7228DN SI SMD or Through Hole | SI7228DN.pdf | |
![]() | F741995/P | F741995/P TI SMD or Through Hole | F741995/P.pdf | |
![]() | 6P73P8DB | 6P73P8DB HAIER DIP | 6P73P8DB.pdf | |
![]() | MBR30200 | MBR30200 VR SMD or Through Hole | MBR30200.pdf | |
![]() | q91pr10w0001900 | q91pr10w0001900 epsontoyo SMD or Through Hole | q91pr10w0001900.pdf | |
![]() | S8261ABMMD-G3M-T2G | S8261ABMMD-G3M-T2G SII SOT23-6 | S8261ABMMD-G3M-T2G.pdf | |
![]() | TLP160J(V4,T7,TR,U,C) | TLP160J(V4,T7,TR,U,C) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP160J(V4,T7,TR,U,C).pdf | |
![]() | B82801A0824A100 | B82801A0824A100 EPCOS SMD | B82801A0824A100.pdf |