창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FGA30N60LSDTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FGA30N60LSD | |
| 주요제품 | 650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance | |
| PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1605 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 60A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 90A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 30A | |
| 전력 - 최대 | 480W | |
| 스위칭 에너지 | 1.1mJ(켜기), 21mJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 225nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 18ns/250ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 30A, 6.8 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | FGA30N60LSDTU-ND FGA30N60LSDTUFS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FGA30N60LSDTU | |
| 관련 링크 | FGA30N6, FGA30N60LSDTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AD51/070-0 | AD51/070-0 ADI Call | AD51/070-0.pdf | |
![]() | CEM25M0033 | CEM25M0033 ORIGINAL NULL | CEM25M0033.pdf | |
![]() | PBTGF30 | PBTGF30 PBT CONN | PBTGF30.pdf | |
![]() | S21MD10V | S21MD10V SHARP DIP-5 | S21MD10V.pdf | |
![]() | ACT45B-101-2P-TL | ACT45B-101-2P-TL TDK SMD | ACT45B-101-2P-TL.pdf | |
![]() | PT2232-S | PT2232-S PTC DIPSOP | PT2232-S.pdf | |
![]() | LBC857BL1G | LBC857BL1G LRC SMD or Through Hole | LBC857BL1G.pdf | |
![]() | LT3796EFE#PBF | LT3796EFE#PBF LT SMD or Through Hole | LT3796EFE#PBF.pdf | |
![]() | 645866 | 645866 NS/TI DIP8 | 645866.pdf | |
![]() | M22-2580546 | M22-2580546 HARWIN SMD or Through Hole | M22-2580546.pdf | |
![]() | CX8045GA18000H0QSWZZ | CX8045GA18000H0QSWZZ KYOCER SMD | CX8045GA18000H0QSWZZ.pdf | |
![]() | TC55RP5902EMBTR | TC55RP5902EMBTR MICROCHIP SOT89 | TC55RP5902EMBTR.pdf |