창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FGA30N60LSDTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FGA30N60LSD | |
| 주요제품 | 650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance | |
| PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1605 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 60A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 90A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 30A | |
| 전력 - 최대 | 480W | |
| 스위칭 에너지 | 1.1mJ(켜기), 21mJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 225nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 18ns/250ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 30A, 6.8 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | FGA30N60LSDTU-ND FGA30N60LSDTUFS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FGA30N60LSDTU | |
| 관련 링크 | FGA30N6, FGA30N60LSDTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1001AI2-020.0000T | 20MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001AI2-020.0000T.pdf | |
![]() | DS1000M100 | DS1000M100 DAL PDIP | DS1000M100.pdf | |
![]() | LA5-180V681MS42 | LA5-180V681MS42 ELNA SMD or Through Hole | LA5-180V681MS42.pdf | |
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![]() | 22V40 | 22V40 AMD PLCC | 22V40.pdf | |
![]() | S30814-Q162-B-1 | S30814-Q162-B-1 F SIP11 | S30814-Q162-B-1.pdf | |
![]() | TC74VHC573F(EL.K.F) | TC74VHC573F(EL.K.F) Toshiba SMD or Through Hole | TC74VHC573F(EL.K.F).pdf | |
![]() | AQC224 | AQC224 NAIS NO | AQC224.pdf | |
![]() | REP20644/39 | REP20644/39 MAJOR SMD or Through Hole | REP20644/39.pdf | |
![]() | EP2C35F672C7 | EP2C35F672C7 Altera BGA | EP2C35F672C7.pdf | |
![]() | CAB-25WW/10 | CAB-25WW/10 BQCABLE SMD or Through Hole | CAB-25WW/10.pdf |