창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDZ663P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDZ663P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 134m옴 @ 2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 525pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFBGA, WLCSP | |
| 공급 장치 패키지 | 4-WLCSP(0.80x0.80) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | FDZ663P-ND FDZ663PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDZ663P | |
| 관련 링크 | FDZ6, FDZ663P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ALZ51F09T | ALZ RELAY 1 FORM A 9V | ALZ51F09T.pdf | |
![]() | ACZ09BR1E-20KQD1-20C | ENCODER ROTARY 9MM VERT 20PPR | ACZ09BR1E-20KQD1-20C.pdf | |
![]() | 0257030-PXP | 0257030-PXP LITTELFUSE SMD or Through Hole | 0257030-PXP.pdf | |
![]() | E812M001 | E812M001 N/A BGA | E812M001.pdf | |
![]() | FB251 | FB251 THOMSON 251MHZ | FB251.pdf | |
![]() | PEG146A | PEG146A PIONEER QFP | PEG146A.pdf | |
![]() | 12D-24S05NC | 12D-24S05NC AIPINE ZIP4 | 12D-24S05NC.pdf | |
![]() | 74LS125P | 74LS125P HITACHI DIP | 74LS125P.pdf | |
![]() | S3C70F4XH8-ABV4 | S3C70F4XH8-ABV4 SAMSUNG DOP-30 | S3C70F4XH8-ABV4.pdf | |
![]() | AP0160J | AP0160J APEC TO-251 | AP0160J.pdf | |
![]() | NJU4053BM(TE1) | NJU4053BM(TE1) JRC SOP | NJU4053BM(TE1).pdf | |
![]() | TL1453NSR | TL1453NSR TI SOP16-5.2 | TL1453NSR.pdf |