창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDWS86369_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDWS86369_F085 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 65A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2470pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDWS86369_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDWS86369_F085 | |
관련 링크 | FDWS8636, FDWS86369_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGA5L2X8R2A154M160AA | 0.15µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5L2X8R2A154M160AA.pdf | |
![]() | 8W-13.000MBB-T | 13MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | 8W-13.000MBB-T.pdf | |
![]() | KTR10EZPF2212 | RES SMD 22.1K OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF2212.pdf | |
![]() | NDS9953_NL | NDS9953_NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | NDS9953_NL.pdf | |
![]() | ZLF645E | ZLF645E ORIGINAL SSOP | ZLF645E.pdf | |
![]() | 87997-2 | 87997-2 AMP ORIGINAL | 87997-2.pdf | |
![]() | NS32AM163UNA/V20 | NS32AM163UNA/V20 NS SMD or Through Hole | NS32AM163UNA/V20.pdf | |
![]() | SMG20E40F | SMG20E40F SanRex TO-220F | SMG20E40F.pdf | |
![]() | RHIZA495DRE0 | RHIZA495DRE0 MURATA SMD or Through Hole | RHIZA495DRE0.pdf | |
![]() | BUV11N | BUV11N ON TO-3 | BUV11N.pdf | |
![]() | RM4200ADE | RM4200ADE RAYTHEON CDIP8 | RM4200ADE.pdf |