창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDV301N_NB9V005 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDV301N Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 220mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 400mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.06V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9.5pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | FDV301N_NB9V005CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDV301N_NB9V005 | |
| 관련 링크 | FDV301N_N, FDV301N_NB9V005 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 36502A5N6JTDG | 5.6nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 80 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | 36502A5N6JTDG.pdf | |
![]() | RN73C2A34K8BTD | RES SMD 34.8KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A34K8BTD.pdf | |
![]() | 4708N | 4708N ON SOIC-8FL | 4708N.pdf | |
![]() | 23.000M | 23.000M ORIGINAL SMD or Through Hole | 23.000M.pdf | |
![]() | SV1E228M18016BB180 | SV1E228M18016BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | SV1E228M18016BB180.pdf | |
![]() | 24R-JMCS-G-B-TF | 24R-JMCS-G-B-TF JST 24p0.5 | 24R-JMCS-G-B-TF.pdf | |
![]() | Acpm-7381 | Acpm-7381 AVAGO SMD or Through Hole | Acpm-7381.pdf | |
![]() | LTC1062CN8#PBF | LTC1062CN8#PBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LTC1062CN8#PBF.pdf | |
![]() | L4931CDT120-TR | L4931CDT120-TR ST TO-252 DPAK Cu Wire | L4931CDT120-TR.pdf | |
![]() | R3132Q10EA | R3132Q10EA RICOH SC-82AB | R3132Q10EA.pdf | |
![]() | SHA-GM5SAE65P0A | SHA-GM5SAE65P0A SHARP SMD or Through Hole | SHA-GM5SAE65P0A.pdf |