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Fairchild Semiconductor FDU6N25

FDU6N25
제조업체 부품 번호
FDU6N25
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
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내부 부품 번호EIS-FDU6N25
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDU6N25
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열UniFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)250V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.4A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.1옴 @ 2.2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds250pF @ 25V
전력 - 최대50W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak
공급 장치 패키지I-Pak
표준 포장 70
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDU6N25
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