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Fairchild Semiconductor FDT434P

FDT434P
제조업체 부품 번호
FDT434P
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
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내부 부품 번호EIS-FDT434P
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDT434P
MA04A Pkg Drawing
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
카탈로그 페이지 1599 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs50m옴 @ 6A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs19nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1187pF @ 10V
전력 - 최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지SOT-223-4
표준 포장 4,000
다른 이름FDT434P-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDT434P
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