창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDT3N40TF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDT3N40 MA04A Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 225pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | FDT3N40TF-ND FDT3N40TFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDT3N40TF | |
| 관련 링크 | FDT3N, FDT3N40TF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM033R71H331MA12J | 330pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033R71H331MA12J.pdf | |
![]() | VJ0402D0R6CLBAP | 0.60pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R6CLBAP.pdf | |
![]() | TNPW040217K2BEED | RES SMD 17.2KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040217K2BEED.pdf | |
![]() | RG1608P-1823-B-T5 | RES SMD 182K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-1823-B-T5.pdf | |
![]() | NOKIAC102698 | NOKIAC102698 ORIGINAL QFP | NOKIAC102698.pdf | |
![]() | 3SK60 | 3SK60 HITACHI CAN4 | 3SK60.pdf | |
![]() | M1527DM | M1527DM TEXSA SDM1 | M1527DM.pdf | |
![]() | IRF9R21NS | IRF9R21NS IR TO-263 | IRF9R21NS.pdf | |
![]() | OPX10G3S-LR13-SC-T | OPX10G3S-LR13-SC-T JDSUNIPHASE SMD or Through Hole | OPX10G3S-LR13-SC-T.pdf | |
![]() | KP0079SA | KP0079SA TAIYO SMD or Through Hole | KP0079SA.pdf | |
![]() | BU7262NUX-TR | BU7262NUX-TR ROHM SMD or Through Hole | BU7262NUX-TR.pdf | |
![]() | AO4414A | AO4414A ALPHA SMD or Through Hole | AO4414A.pdf |