창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS9958_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS9958_F085 | |
비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
PCN 설계/사양 | Reverse Recovery Charge 11/Aug/2015 Description Chg 14/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 2.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1020pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS9958_F085-ND FDS9958_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS9958_F085 | |
관련 링크 | FDS9958, FDS9958_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
784774127 | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 1.19A 200 mOhm Max Nonstandard | 784774127.pdf | ||
![]() | TNPU0805365RAZEN00 | RES SMD 365 OHM 0.05% 1/8W 0805 | TNPU0805365RAZEN00.pdf | |
![]() | EM6354XSC4B-4.6 | EM6354XSC4B-4.6 EMMICRO SC70 | EM6354XSC4B-4.6.pdf | |
![]() | UPC23C16000WGY | UPC23C16000WGY NEC TSSOP | UPC23C16000WGY.pdf | |
![]() | TS404C(404C) | TS404C(404C) ST SOP14 | TS404C(404C).pdf | |
![]() | V10P10 | V10P10 VISHAY TO-277 | V10P10.pdf | |
![]() | SKN8000P04 | SKN8000P04 Semikron module | SKN8000P04.pdf | |
![]() | 24-216/R7C-AL2N1 | 24-216/R7C-AL2N1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 24-216/R7C-AL2N1.pdf | |
![]() | EXBA10P122J | EXBA10P122J PANASONIC SMD | EXBA10P122J.pdf | |
![]() | C1608COG1H020CT | C1608COG1H020CT TDK SMD or Through Hole | C1608COG1H020CT.pdf | |
![]() | BTS410-G | BTS410-G infineon TO-220-5 | BTS410-G.pdf | |
![]() | GLA22V10B-15LPI | GLA22V10B-15LPI LATTICE DIP24 | GLA22V10B-15LPI.pdf |