창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS9926A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS9926A | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 6.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS9926ATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS9926A | |
관련 링크 | FDS9, FDS9926A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ERB1885C2E3R3BDX1D | 3.3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ERB1885C2E3R3BDX1D.pdf | |
![]() | 9B-16.000MAAJ-B | 16MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-16.000MAAJ-B.pdf | |
![]() | ERA-8ARW4322V | RES SMD 43.2KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW4322V.pdf | |
![]() | PTN1206E1200BST1 | RES SMD 120 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1200BST1.pdf | |
![]() | ESMHVSN123MP25S | ESMHVSN123MP25S NIPPON DIP | ESMHVSN123MP25S.pdf | |
![]() | 1812AS-8R2K-01 | 1812AS-8R2K-01 Fastron SMD1812 | 1812AS-8R2K-01.pdf | |
![]() | GMC-8/10 | GMC-8/10 ORIGINAL SMD or Through Hole | GMC-8/10.pdf | |
![]() | ESH337M010AG3AA | ESH337M010AG3AA ARCOTRNIC DIP | ESH337M010AG3AA.pdf | |
![]() | W/W RES 5W0.22R5%-ROUND | W/W RES 5W0.22R5%-ROUND CDT SMD or Through Hole | W/W RES 5W0.22R5%-ROUND.pdf |