창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS9435A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS9435A | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 5.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 528pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS9435ATR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS9435A | |
| 관련 링크 | FDS9, FDS9435A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | GRM2165C1H430GZ01J | 43pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2165C1H430GZ01J.pdf | |
| HS300 33R J | RES CHAS MNT 33 OHM 5% 300W | HS300 33R J.pdf | ||
![]() | CSLW6B200M | Current Sensor 200mA 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional | CSLW6B200M.pdf | |
| VEMT3700F-GS08 | PHOTO TRANS. SMD PLCC2 | VEMT3700F-GS08.pdf | ||
![]() | K4M51163PC-BF1L000 | K4M51163PC-BF1L000 FSC SMD or Through Hole | K4M51163PC-BF1L000.pdf | |
![]() | MN15522VYT | MN15522VYT MIT DIP 28 | MN15522VYT.pdf | |
![]() | 1678826 | 1678826 Altera SMD or Through Hole | 1678826.pdf | |
![]() | N78E055ALG | N78E055ALG nuvoTon LQFP-48 | N78E055ALG.pdf | |
![]() | LSC433417CFB | LSC433417CFB ORIGINAL QFP | LSC433417CFB.pdf | |
![]() | SMR-5010-E | SMR-5010-E FUJISOKU SMD or Through Hole | SMR-5010-E.pdf | |
![]() | 693-3-R10K | 693-3-R10K ORIGINAL DIP | 693-3-R10K.pdf |