창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS8878 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS8878 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 10.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 897pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS8878-ND FDS8878TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS8878 | |
관련 링크 | FDS8, FDS8878 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | AC2010FK-0760R4L | RES SMD 60.4 OHM 1% 3/4W 2010 | AC2010FK-0760R4L.pdf | |
![]() | IRL3803 | IRL3803 IRORG TO-220 | IRL3803 .pdf | |
![]() | 111M3502-475M | 111M3502-475M MATSUO SMD or Through Hole | 111M3502-475M.pdf | |
![]() | 705SCSAF | 705SCSAF ASM SOP8 | 705SCSAF.pdf | |
![]() | WD12-24S05 | WD12-24S05 SANGMEI DIP | WD12-24S05.pdf | |
![]() | 5104T2CRE | 5104T2CRE ORIGINAL DIP-8 | 5104T2CRE.pdf | |
![]() | MBM29F400TC-70 | MBM29F400TC-70 ORIGINAL SMD or Through Hole | MBM29F400TC-70.pdf | |
![]() | MAX824M | MAX824M MAXIM SOT163 | MAX824M.pdf | |
![]() | UPD77C25C-131 | UPD77C25C-131 NEC DIP-24 | UPD77C25C-131.pdf | |
![]() | 2SC4117 NOPB | 2SC4117 NOPB TOSHIBA SOT323 | 2SC4117 NOPB.pdf | |
![]() | HY5RS123235AFP-2 | HY5RS123235AFP-2 HYNIX FBGA | HY5RS123235AFP-2.pdf | |
![]() | 8431EM-01 | 8431EM-01 IDT SMD or Through Hole | 8431EM-01.pdf |