창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS8876 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS8876 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 12.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1650pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS8876-ND FDS8876TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS8876 | |
| 관련 링크 | FDS8, FDS8876 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | ATCA-04-321M-H | 320µH Unshielded Toroidal Inductor 2A 131 mOhm Max Radial | ATCA-04-321M-H.pdf | |
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![]() | RG2012V-8450-P-T1 | RES SMD 845 OHM 0.02% 1/8W 0805 | RG2012V-8450-P-T1.pdf | |
![]() | RBV8A | RBV8A EIC SMD or Through Hole | RBV8A.pdf | |
![]() | 25YXG1800M12.5X30 | 25YXG1800M12.5X30 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25YXG1800M12.5X30.pdf | |
![]() | AL-A25-5 | AL-A25-5 ORIGINAL PQFP64 | AL-A25-5.pdf | |
![]() | WL1A158M10020BB180 | WL1A158M10020BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | WL1A158M10020BB180.pdf | |
![]() | SIS426DN-T1 | SIS426DN-T1 SILICONIX ORIGINAL | SIS426DN-T1.pdf | |
![]() | 19034-0007 | 19034-0007 MOLEX SMD or Through Hole | 19034-0007.pdf | |
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![]() | NJM2209M-T1 | NJM2209M-T1 JRC SOP | NJM2209M-T1.pdf |