창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS8876 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS8876 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 12.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1650pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS8876-ND FDS8876TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS8876 | |
관련 링크 | FDS8, FDS8876 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 12102U430JAT2A | 43pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12102U430JAT2A.pdf | |
![]() | RT0402BRD07620RL | RES SMD 620 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRD07620RL.pdf | |
![]() | IRG4BC20K-S | IRG4BC20K-S IR TO263 | IRG4BC20K-S.pdf | |
![]() | STR8124 | STR8124 SK SMD or Through Hole | STR8124.pdf | |
![]() | S3F9454XZZ-OKB4 | S3F9454XZZ-OKB4 ORIGINAL DIP | S3F9454XZZ-OKB4.pdf | |
![]() | KB3910Q.B4 | KB3910Q.B4 ORIGINAL QFP | KB3910Q.B4.pdf | |
![]() | NJW1144GKI | NJW1144GKI JRC SMD or Through Hole | NJW1144GKI.pdf | |
![]() | TIBAL16L8-10CN | TIBAL16L8-10CN TI DIP | TIBAL16L8-10CN.pdf | |
![]() | G5LE15DC | G5LE15DC OMRON SMD or Through Hole | G5LE15DC.pdf | |
![]() | CT0805-R22G-S | CT0805-R22G-S ORIGINAL SMD or Through Hole | CT0805-R22G-S.pdf | |
![]() | SG210AT/883Q | SG210AT/883Q LINFINITY CAN8 | SG210AT/883Q.pdf | |
![]() | 2SC2621D-RAC | 2SC2621D-RAC SANYO TO-126 | 2SC2621D-RAC.pdf |