창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS8876 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS8876 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 12.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1650pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS8876-ND FDS8876TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS8876 | |
| 관련 링크 | FDS8, FDS8876 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | UMP4T-S2D-S2E-S2L-S2L-00-A | UMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | UMP4T-S2D-S2E-S2L-S2L-00-A.pdf | |
![]() | SM5814BP | SM5814BP NPC SMD or Through Hole | SM5814BP.pdf | |
![]() | 200-2B | 200-2B ORIGINAL SMD or Through Hole | 200-2B.pdf | |
![]() | IX0262GEZZ | IX0262GEZZ SHARP DIP-64 | IX0262GEZZ.pdf | |
![]() | FMM4029KY-1 | FMM4029KY-1 ORIGINAL QFP | FMM4029KY-1.pdf | |
![]() | NSVF2004ML2T1 | NSVF2004ML2T1 ORIGINAL SOD123 | NSVF2004ML2T1.pdf | |
![]() | 46447 | 46447 ORIGINAL SMD or Through Hole | 46447.pdf | |
![]() | D12B18.4320MNS | D12B18.4320MNS ORIGINAL SMD or Through Hole | D12B18.4320MNS.pdf | |
![]() | RJ4-50V102MI6 | RJ4-50V102MI6 ELNA DIP | RJ4-50V102MI6.pdf | |
![]() | 5962-8759401XA | 5962-8759401XA LTC SMD or Through Hole | 5962-8759401XA.pdf | |
![]() | TDA12000H1/N1B501 | TDA12000H1/N1B501 PHILIPS QFP | TDA12000H1/N1B501.pdf | |
![]() | PWF245 | PWF245 BGA TI | PWF245.pdf |