창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS86267P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS86267P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 255m옴 @ 2.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1130pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS86267PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS86267P | |
| 관련 링크 | FDS86, FDS86267P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | D150G20C0GL63J5R | 15pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D150G20C0GL63J5R.pdf | |
![]() | MKP1841422254M | 0.22µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.295" W (18.00mm x 7.50mm) | MKP1841422254M.pdf | |
![]() | 04023J4R1BBWTR | 4.1pF Thin Film Capacitor 25V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 04023J4R1BBWTR.pdf | |
![]() | ATV04A430JB-HF | TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO214AC | ATV04A430JB-HF.pdf | |
![]() | 1140-822K-RC | 8.2mH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 1.95 Ohm Max Radial | 1140-822K-RC.pdf | |
![]() | 442480029 | 442480029 MOLEX SMD or Through Hole | 442480029.pdf | |
![]() | FDFN5-250 | FDFN5-250 N/A SMD or Through Hole | FDFN5-250.pdf | |
![]() | 272J 1600V | 272J 1600V CBB SMD or Through Hole | 272J 1600V.pdf | |
![]() | ACJM-MHS | ACJM-MHS AMPHENOL SMD or Through Hole | ACJM-MHS.pdf | |
![]() | KA34063ADSTF | KA34063ADSTF FSC SMD or Through Hole | KA34063ADSTF.pdf | |
![]() | 332M-46T | 332M-46T ICS SOP8 | 332M-46T.pdf |