창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS86252 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS86252 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 955pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS86252-ND FDS86252TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS86252 | |
| 관련 링크 | FDS8, FDS86252 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | EEE-1EA221UP | 220µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | EEE-1EA221UP.pdf | |
![]() | CL21B474JAFNNNE | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B474JAFNNNE.pdf | |
![]() | MS4800S-20-0800-50X-50R | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-20-0800-50X-50R.pdf | |
![]() | EMPPPC750GBUB2660 | EMPPPC750GBUB2660 MOTOROLA QFP | EMPPPC750GBUB2660.pdf | |
![]() | TEESVJ1A225M8R | TEESVJ1A225M8R NEC SMD or Through Hole | TEESVJ1A225M8R.pdf | |
![]() | WSL25122L000FTA | WSL25122L000FTA VISHAY NA | WSL25122L000FTA.pdf | |
![]() | SIDX-A2C3MAC-220V | SIDX-A2C3MAC-220V ORIGINAL SMD or Through Hole | SIDX-A2C3MAC-220V.pdf | |
![]() | ESME800LGC104MFE0N | ESME800LGC104MFE0N NIPPONCHEMI SMD or Through Hole | ESME800LGC104MFE0N.pdf | |
![]() | CGA4F2C0G1H562JT | CGA4F2C0G1H562JT TDK SMD | CGA4F2C0G1H562JT.pdf | |
![]() | CPCC1100V47P | CPCC1100V47P BCC SMD or Through Hole | CPCC1100V47P.pdf | |
![]() | FDFS2P103- | FDFS2P103- FDS SOP8 | FDFS2P103-.pdf |