창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS86242 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS86242 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 4.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS86242TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS86242 | |
| 관련 링크 | FDS8, FDS86242 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ0805D271MLAAT | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D271MLAAT.pdf | |
![]() | TC124-FR-07154KL | RES ARRAY 4 RES 154K OHM 0804 | TC124-FR-07154KL.pdf | |
![]() | TAJB105K035RSK | TAJB105K035RSK AVX B | TAJB105K035RSK.pdf | |
![]() | SD8500C06R | SD8500C06R VISHAY SMD or Through Hole | SD8500C06R.pdf | |
![]() | IRSR-1027-032W-70 | IRSR-1027-032W-70 IEA SMD | IRSR-1027-032W-70.pdf | |
![]() | UDSZ TE-17 6.2B | UDSZ TE-17 6.2B ROHM SOD323 | UDSZ TE-17 6.2B.pdf | |
![]() | ES100/16L | ES100/16L NEC SMD or Through Hole | ES100/16L.pdf | |
![]() | JM38510/07402BDA | JM38510/07402BDA NS SMD or Through Hole | JM38510/07402BDA.pdf | |
![]() | H5DU1232GTR-E3C | H5DU1232GTR-E3C ORIGINAL TSOP | H5DU1232GTR-E3C.pdf | |
![]() | RF3191E6.0 | RF3191E6.0 RFMD QFN | RF3191E6.0.pdf |