창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS6975 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS6975 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1540pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS6975TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS6975 | |
관련 링크 | FDS6, FDS6975 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
UPZ2D820MND9 | 82µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPZ2D820MND9.pdf | ||
RR1220P-3161-D-M | RES SMD 3.16KOHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-3161-D-M.pdf | ||
RT0603BRD074K42L | RES SMD 4.42KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD074K42L.pdf | ||
MBA02040C4421FC100 | RES 4.42K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C4421FC100.pdf | ||
CMF5532K000DHRE | RES 32K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5532K000DHRE.pdf | ||
R1180D281B-TR-F | R1180D281B-TR-F RICOH SOT363 | R1180D281B-TR-F .pdf | ||
BLM15BD601SND | BLM15BD601SND muRata 0402-600R | BLM15BD601SND.pdf | ||
ALS137 | ALS137 TI SOP | ALS137.pdf | ||
2SK2885L | 2SK2885L HIT TO-252 | 2SK2885L.pdf | ||
NCV303LSN28T1G | NCV303LSN28T1G ONSEMI TSOT23-5 | NCV303LSN28T1G.pdf | ||
NJM4556B | NJM4556B JRC 8P | NJM4556B.pdf | ||
Z8053008 | Z8053008 ORIGINAL PLCC44 | Z8053008.pdf |