창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS6961A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS6961A | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 220pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS6961A-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS6961A | |
관련 링크 | FDS6, FDS6961A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
PFE5KR600E | RES CHAS MNT 0.6 OHM 10% 1109W | PFE5KR600E.pdf | ||
Q5160I-2S1 | Q5160I-2S1 QUALCOMM SMD or Through Hole | Q5160I-2S1.pdf | ||
YTF631 | YTF631 TOS TO-220 | YTF631.pdf | ||
TA78L024APF | TA78L024APF TOSH BULKTO | TA78L024APF.pdf | ||
15KP6.0 | 15KP6.0 VISHAY P-600 | 15KP6.0.pdf | ||
GLT6100L08LL-100TS | GLT6100L08LL-100TS G-LINK TSOP-32 | GLT6100L08LL-100TS.pdf | ||
APM1106 | APM1106 ORIGINAL SOP8 | APM1106.pdf | ||
AT-DB200-09-M | AT-DB200-09-M ASTRON SMD or Through Hole | AT-DB200-09-M.pdf | ||
FZ1200R16KF4/FZ1200R17HP4 | FZ1200R16KF4/FZ1200R17HP4 INFINEON MODULE | FZ1200R16KF4/FZ1200R17HP4.pdf | ||
VP3528ES3 | VP3528ES3 MOTOROLA SIP14 | VP3528ES3.pdf | ||
B66335G0500X187 | B66335G0500X187 EPCOS SMD or Through Hole | B66335G0500X187.pdf | ||
ispLSI 2128V | ispLSI 2128V Lattice QFP-100 | ispLSI 2128V.pdf |